8:58, 30 января. Автор: Новиков Сергей
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первого в отрасли встроенного универсального флэш-накопителя (eUFS) 2.1 объемом 1 ТБ для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Всего через четыре года после представления первого решения UFS с eUFS объёмом 128 гигабайт, Samsung преодолела столь ожидаемый порог в 1 терабайт для встроенной памяти смартфона. Производитель отмечает, что гаджетоманы в скором времени смогут пользоваться таким объёмом памяти, сопоставимым с ноутбуком премиум-класса, без необходимости вставлять в свои смартфоны дополнительные карты памяти.
При том же размере чипсета (11,5 x 13,0 мм) решение eUFS емкостью 1 ТБ удваивает емкость предыдущей версии объемом 512 ГБ, объединяя 16 слоев в стеке самой современной 5-гигабитной V-NAND флэш-памяти Samsung и недавно разработанный для этих целей контроллер.
Новый eUFS модуль памяти объёмом в 1 Тб также обладает высокими показателями скорости передачи данных – до 1000 мегабайт в секунду, обеспечивая примерно в два раза большую скорость чтения в сравнении с обычными 2,5-дюймовыми SSD накопителями.